အားလုံးအားပြန်သွင်းနိုင်သော အလုပ်မီး၊ ခရီးဆောင်စခန်းချအလင်းရောင်နှင့်ဘက်စုံသုံးခေါင်းမီးLED မီးသီးအမျိုးအစားကို အသုံးပြုပါ။Diode led ၏နိယာမကိုနားလည်ရန် ဦးစွာ semiconductors ၏အခြေခံအသိပညာကိုနားလည်ရန်။semiconductor ပစ္စည်းများ၏ လျှပ်ကူးနိုင်သော ဂုဏ်သတ္တိများသည် conductor နှင့် insulator များကြားတွင်ရှိသည်။၎င်း၏ထူးခြားသောအင်္ဂါရပ်များမှာ- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာအား ပြင်ပအလင်းရောင်နှင့် အပူအခြေအနေများကြောင့် နှိုးဆွသောအခါ၊ ၎င်း၏လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် သိသိသာသာပြောင်းလဲသွားလိမ့်မည်၊သန့်စင်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာတစ်ခုသို့ အညစ်အကြေးအနည်းငယ်ကို ပေါင်းထည့်ခြင်းသည် ၎င်း၏လျှပ်စစ်ထုတ်နိုင်စွမ်းကို သိသိသာသာတိုးစေသည်။ဆီလီကွန် (Si) နှင့် ဂျာမနီယမ် (Ge) တို့သည် ခေတ်သစ် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းတွင် အသုံးအများဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့၏ အပြင်ဘက် အီလက်ထရွန် လေးမျိုးဖြစ်သည်။ဆီလီကွန် သို့မဟုတ် ဂျာမနီယမ် အက်တမ်များသည် ပုံဆောင်ခဲများ ဖြစ်ပေါ်လာသောအခါ၊ အိမ်နီးချင်း အက်တမ်များသည် အချင်းချင်း အပြန်အလှန် အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိကာ အက်တမ်နှစ်ခုမှ ပြင်ပအီလက်ထရွန်များကို မျှဝေခံစားနိုင်စေရန်၊ ၎င်းသည် အတားအဆီးနည်းပါးသော မော်လီကျူးဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်သည့် ပုံဆောင်ခဲအတွင်းရှိ covalent နှောင်ကြိုးဖွဲ့စည်းပုံကို ပုံဖော်ပေးသည်။အခန်းအပူချိန် (300K) တွင် အပူရှိန်လှုံ့ဆော်မှုသည် covalent နှောင်ကြိုးမှ ကွဲထွက်သွားပြီး လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန်များဖြစ်လာစေရန် ပြင်ပအီလက်ထရွန်အချို့ကို လုံလောက်သောစွမ်းအင်ရရှိစေသည်၊ ဤဖြစ်စဉ်ကို ပင်ကိုယ်စိတ်လှုပ်ရှားမှုဟုခေါ်သည်။အီလက်ထရွန်သည် အလကားအီလက်ထရွန်ဖြစ်လာရန် ချည်နှောင်ထားခြင်းမရှိဘဲ၊ covalent နှောင်ကြိုးတွင် လစ်လပ်နေရာတစ်ခု ကျန်နေပါသည်။ဤလစ်လပ်ခြင်းကို အပေါက်ဟုခေါ်သည်။အပေါက်တစ်ခု၏အသွင်အပြင်သည် conductor နှင့် semiconductor ကိုခွဲခြားသိမြင်နိုင်သောအရေးကြီးသောအင်္ဂါရပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
ဖော့စဖရပ်ကဲ့သို့သော pentavalent အညစ်အကြေးအနည်းငယ်ကို ပင်ကိုယ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာသို့ ပေါင်းထည့်သောအခါ၊ အခြားတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာအက်တမ်များနှင့် covalent နှောင်ကြိုးဖွဲ့စည်းပြီးနောက် ၎င်းတွင် အပိုအီလက်ထရွန်တစ်ခုရရှိမည်ဖြစ်သည်။ဤအပိုအီလက်ထရွန်သည် အနှောင်အဖွဲ့ကိုဖယ်ရှားရန်နှင့် လွတ်လပ်သောအီလက်ထရွန်ဖြစ်လာရန် အလွန်သေးငယ်သောစွမ်းအင်သာလိုအပ်သည်။ဤညစ်ညမ်းသောတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာမျိုးကို အီလက်ထရွန်းနစ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ (N-type semiconductor) ဟုခေါ်သည်။သို့ရာတွင်၊ ပြင်ပအလွှာတွင် အီလက်ထရွန်သုံးလုံးသာ ပါရှိသောကြောင့် အတွင်းပိုင်းရှိ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာသို့ အနည်းငယ်မျှသော ဒြပ်စင်ဒြပ်စင်များ (ဥပမာ ဘိုရွန်) ကို ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် ၎င်းတွင် အနီးနားရှိ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအက်တမ်များနှင့် covalent နှောင်ကြိုးဖွဲ့စည်းပြီးနောက် နေရာလွတ်တစ်ခု ဖန်တီးပေးမည်ဖြစ်သည်။ crystal ၌။ဤညစ်ညမ်းသောတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာမျိုးကို hole semiconductor (P-type semiconductor) ဟုခေါ်သည်။N-type နှင့် P-type semiconductors များကို ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ၊ ၎င်းတို့၏ လမ်းဆုံရှိ လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန်နှင့် အပေါက်များ၏ အာရုံစူးစိုက်မှုမှာ ကွာခြားမှု ရှိပါသည်။အီလက်ထရွန်နှင့် အပေါက်နှစ်ခုစလုံးသည် N-type နှင့် P-type ဒေသများ၏ မူလလျှပ်စစ်ကြားနေမှုကို ဖျက်ဆီးသည့် အားသွင်းသော်လည်း မရွေ့လျားနိုင်သော အိုင်းယွန်းများနောက်တွင် ကျန်ရစ်သည်။ဤရွေ့လျားအားသွင်းထားသော အမှုန်အမွှားများကို space charges ဟုခေါ်ပြီး ၎င်းတို့ကို PN လမ်းဆုံဟုခေါ်သော အလွန်ပါးလွှာသော အာကာသတာဝန်ခံအဖြစ် ဖန်တီးရန်အတွက် ၎င်းတို့ကို N နှင့် P ဧရိယာများကြားတွင် စုစည်းထားသည်။
ရှေ့ဘက်ဘက်လိုက်ဗို့အားကို PN လမ်းဆုံ (P-type ၏ တစ်ဖက်ခြမ်းသို့ အပြုသဘောဗို့အား) နှစ်ဖက်စလုံးသို့ သက်ရောက်သောအခါ၊ အပေါက်များနှင့် လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန်များသည် အပြန်အလှန် ရွေ့လျားကာ အတွင်းပိုင်းလျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ဖန်တီးသည်။အသစ်ထိုးသွင်းထားသော အပေါက်များသည် လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန်များနှင့် ပြန်လည်ပေါင်းစပ်ကာ တစ်ခါတစ်ရံတွင် ပိုလျှံနေသော စွမ်းအင်ကို ဖိုတွန်ပုံစံဖြင့် ထုတ်လွှတ်သည်၊၊ ၎င်းသည် ကျွန်ုပ်တို့မြင်ရသော အလင်းတန်းများမှ ထုတ်လွှတ်သော ဖိုတွန်ဖြစ်သည်။ထိုသို့သော spectrum သည် အတော်အတန်ကျဉ်းမြောင်းပြီး ပစ္စည်းတစ်ခုစီတွင် မတူညီသော band ကွာဟချက်ရှိသောကြောင့် ထုတ်လွှတ်သော ဖိုတွန်များ၏ လှိုင်းအလျားများသည် ကွဲပြားသောကြောင့် LED များ၏ အရောင်များကို အသုံးပြုထားသော အခြေခံပစ္စည်းများဖြင့် ဆုံးဖြတ်ပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- မေ ၁၂-၂၀၂၃