Semiconductor Pn လမ်းဆုံတွင်နေရောင်ခြည်သည်အပေါက်တစ်ပေါက် - အီလက်ထရွန် tair အသစ်တစ်ခုကိုဖွဲ့စည်းသည်။ PN လမ်းဆုံ၏လျှပ်စစ်နယ်ပယ်၏အရေးယူဆောင်ရွက်မှုအရ P ဒေသမှ N ဒေသများသို့အပေါက်သည် Pin သို့ 0 င်ရောက်စီးနင်း။ တိုက်နယ်ချိတ်ဆက်သောအခါလက်ရှိဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဒါက Photoelectric Effect နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်တွေအလုပ်လုပ်ပုံပါ။
နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဓာတ်ထုတ်လုပ်မှုသည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဓာတ်အားမျိုးဆက်နှစ်မျိုးရှိသည်။
(1) အလင်းအပူ - လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြောင်းလဲခြင်းနည်းလမ်းသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ရန်နေရောင်ခြည်ဓါတ်ရောင်ခြည်များမှထုတ်လုပ်သောအပူစွမ်းအင်ကိုအသုံးပြုသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်စုပ်ယူသောအပူစွမ်းအင်ကို Solar Collector မှအလုပ်လုပ်သောအလတ်စားရေနွေးငွေ့များသို့ပြောင်းလဲပြီးရေနွေးငွေ့တာဘိုင်သည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ရန်မောင်းနှင်သည်။ ယခင်ဖြစ်စဉ်သည်အလင်းအပူပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ အဆုံးစွန်သောဖြစ်စဉ်မှာအပူ - လျှပ်စစ်ပြောင်းလဲခြင်းဖြစ်စဉ်ကိုအပူဖြစ်သည်။
(2) photoelectric အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဓါတ်ရောင်ခြည်စွမ်းအင်ကိုလျှပ်စစ်လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အဖြစ်တိုက်ရိုက်ပြောင်းလဲရန်အသုံးပြုသည်။ Photoelectric ပြောင်းလဲခြင်း၏အခြေခံစက်သည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်ဖြစ်သည်။ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်သည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးစွမ်းအင်ကို PhotoGEneereerter Elt အကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့်တိုက်ရိုက်ပြောင်းလဲစေသောကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် semiconductor photodiode တစ်ခုဖြစ်သည်။ Photodiode ကိုနေရောင်ထွန်းလင်းသောအခါ photodiode သည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးစွမ်းအင်ကိုလျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားစွမ်းအင်အဖြစ်သို့ပြောင်းလဲပြီးလက်ရှိထုတ်လုပ်ရန်ဖြစ်သည်။ ဆဲလ်များစွာသည်စီးရီးသို့မဟုတ်အပြိုင်တွင်ချိတ်ဆက်ထားသည့်အခါကြီးမားသော output power နှင့်အတူနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များ၏စတုရန်းပြားများကိုဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။
လက်ရှိအချိန်တွင် Crystalline ဆီလီကွန် (Polysilicon နှင့် Monocrystall Silicon) သည်အရေးအကြီးဆုံး polysilicon နှင့် monocrystalline silicon အပါအ 0 င်အရေးကြီးဆုံး Physovoltaic ပစ္စည်းများအပါအ 0 င်,
Polysilicon ပစ္စည်းများ၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာများကိုအမေရိကန်, ဂျပန်နှင့်ဂျာမနီကဲ့သို့သောစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံ 7 ခုမှစက်ရုံများ (10) ခုဖြင့်ထိန်းချုပ်ထားသည်။
Polysilicon 0 ယ်လိုအားသည်အဓိကအားဖြင့် SemiconDuctors နှင့်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များမှဖြစ်သည်။ ကွဲပြားခြားနားသောသန့်ရှင်းမှုလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီအီလက်ထရွန်နစ်အဆင့်နှင့်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးအဆင့်သို့ခွဲခြား။ ၎င်းတို့အနက်အီလက်ထရောနစ်တန်း Polsilicon သည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး polysilicon 45% ရှိသည်။
Photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်းအလျင်အမြန်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များမှ polysilicon ၏ 0 ယ်လိုအားသည် Semiconductor Polysilicon ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုထက်ပိုမိုမြန်ဆန်စွာကြီးထွားလာပြီးနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး Polysilicon ၏ 0 ယ်လိုအားသည် 2008 ခုနှစ်တွင်အီလက်ထရောနစ်တန်းတူ polysilicon ထက်ကျော်လွန်လိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။
1994 တွင်ကမ္ဘာပေါ်ရှိနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်စုစုပေါင်းထုတ်လုပ်မှုမှာ 69 မီလီမီတာသာရှိသော်လည်း 2004 ခုနှစ်တွင် 12 နှစ်အတွင်း 17 ဆမြင့်တက်လာခဲ့သည်။ ကျွမ်းကျင်သူများကဆိုလာ Photovoltaic လုပ်ငန်းသည် 21 ရာစု၏ပထမတစ်ဝက်တွင်အရေးအကြီးဆုံးအခြေခံစွမ်းအင်အရင်းအမြစ်တစ်ခုအဖြစ်နျူကလီးယားစွမ်းအင်အရင်းအမြစ်တစ်ခုအဖြစ်ကျော်လွှားနိုင်လိမ့်မည်ဟုကျွမ်းကျင်သူများကခန့်မှန်းထားသည်။
Post Time: Sep-15-2022